晶片内部裂缝（碎屑和裂纹）的可视化
案例研究摘要
| 挑战/问题 | 为什么选择”VS-THV-SWIR” |
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硅晶片内部的缺陷可能导致严重事故，应予以清除，但用可见光无法看到内部情况。 |
硅晶片具有透射 SWIR 光的特性，通过使用 SWIR 光，可以从正上方成像，观察到晶片内部的裂缝。 |
挑战/问题
硅晶片内部的缺陷可能导致严重事故，应予以清除，但用可见光无法看到内部情况。
我们希望在进行下一道工序之前清除这些缺陷，以避免后续浪费。
为什么选择”VS-THV-SWIR”
硅晶片具有透射 SWIR 光的特性，通过使用 SWIR 光，可以从正上方成像，观察到晶片内部的裂缝。
VS-THV-SWIR 在波长为 1000-1600 纳米的可见光下，透射率比透镜高出约四倍，有助于实现可视化。
*透射率因使用的波长而异。远心度与 SWIR 光兼容，具有从 1.0x 到 4.0x 光学倍率的高倍率阵容，因此可用于以微米为单位的晶片精确检测。
| 此案例分析所选择的”VS-THV-SWIR” 系列规格 | |
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对应1″和1.1”支持远心镜头 |
